HBM4 시장 전쟁 시작...SK하이닉스 선두, 삼성전자 기술 혁신으로 맞대응

글로벌 인공지능(AI) 붐을 이끄는 차세대 고대역폭 메모리, HBM4 시장이 본격적으로 열리고 있습니다. SK하이닉스가 세계 최초로 양산 체제를 갖추며 선두를 달리고 있고, 삼성전자는 첨단 공정 기술을 앞세워 강력한 반격을 준비 중입니다. 한국의 두 반도체 거물이 글로벌 시장에서 주도권을 잡을 가능성이 높아지면서, 이들의 경쟁이 큰 관심을 모으고 있습니다.

SK하이닉스는 최근 HBM4 개발을 완료하고 양산 준비를 마친 것으로 알려졌습니다. 이 회사는 이미 10여 년 전 세계 최초로 HBM 기술을 선보인 바 있으며, 이번에도 독보적인 기술력을 바탕으로 시장을 선점하려는 전략을 세우고 있습니다. 특히, 실리콘 관통 전극(TSV) 기술과 최신 패키징 기술을 활용해 제품의 안정성과 성능을 크게 끌어올렸습니다.

새롭게 선보인 HBM4는 이전 세대인 HBM3E에 비해 데이터 전송 통로가 두 배로 늘어나며, 전력 효율도 40% 이상 향상되었습니다. 또한, 작동 속도는 업계 표준을 훨씬 웃도는 수준을 구현해 고성능이 요구되는 AI 및 데이터센터 시장에서 큰 경쟁력을 갖췄습니다. 여기에 방열 성능을 개선하고 고단 적층에서도 안정적인 품질을 유지할 수 있는 기술을 적용해 초기 시장 점유율을 확보할 가능성이 높다는 평가가 나오고 있습니다.

한편, 삼성전자는 HBM4 제품 개발을 마무리하고 주요 고객들에게 샘플을 제공하기 시작했습니다. SK하이닉스에 비해 출발은 다소 늦었지만, 독특한 공정 전략으로 차별화를 꾀하며 시장에서 반전을 노리고 있습니다. 삼성전자는 최신 D램 공정과 파운드리 공정을 함께 적용해 집적도와 전력 효율, 그리고 신호 안정성을 동시에 높였습니다. 이 조합은 업계에서 유일무이한 것으로, 작동 속도 역시 표준을 넘어서는 수준을 달성한 것으로 전해집니다.

그동안 삼성전자는 후공정에서 수율 문제로 어려움을 겪어왔으나, 최근 이 부분에서도 개선의 조짐을 보이고 있습니다. 업계에서는 삼성전자가 안정적인 품질을 확보한다면 내년부터 HBM 공급을 본격적으로 확대할 수 있을 것이라는 낙관적인 전망이 나오고 있습니다. 기술 혁신을 바탕으로 중장기적으로 시장 점유율을 높일 수 있는 발판을 마련하고 있다는 분석입니다.

반면, 미국과 중국의 경쟁사들은 HBM4 시장에서 다소 뒤처진 모습을 보이고 있습니다. 미국의 한 주요 반도체 기업은 이전 세대 제품으로 시장 입지를 다졌으나, HBM4 개발에서는 속도와 효율 면에서 경쟁사에 비해 부족하다는 평가를 받고 있습니다. 비용 절감을 위해 기존 공정을 고수하려는 전략이 오히려 기술 개발에 걸림돌이 되고 있다는 지적도 있습니다.

중국의 반도체 업체들 역시 기술력과 고객 확보 면에서 아직 갈 길이 멀어 보입니다. AI와 데이터센터 수요 증가에 맞춰 HBM 시장 진입을 시도하고 있지만, 글로벌 고객들이 요구하는 엄격한 품질 기준을 충족하기까지는 상당한 시간이 필요할 것으로 보입니다.

결국 HBM4 시장은 SK하이닉스의 안정적인 양산 능력과 삼성전자의 혁신적인 공정 기술이 맞붙는 양상으로 전개될 전망입니다. SK하이닉스가 초기 시장을 선점하며 유리한 위치를 점하고 있는 가운데, 삼성전자는 기술 우위를 바탕으로 점차 격차를 좁혀갈 가능성이 큽니다. 두 회사의 치열한 경쟁은 한국 반도체 산업의 글로벌 위상을 한층 더 높이는 계기가 될 것으로 기대됩니다. 이들의 기술 발전과 시장 확대는 AI 시대를 맞아 더욱 중요한 의미를 가지며, 앞으로의 행보가 주목됩니다.